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长鑫存储DRAM架构进展引美光股价波动
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AI 综述
2026年10月12日，据南华早报周一报道，中国存储厂商长鑫存储（CXMT）宣布在下一代DRAM架构上取得关键进展，正在开发新的存储单元架构，以提升动态随机存取存储器（DRAM）的存储密度，从而有望与全球领先的存储芯片厂商展开竞争。同日，Investor's Business Daily报道称，受此消息影响，美光科技（MU）股价周一下跌。目前该事件处于媒体报道阶段，尚无长鑫存储或美光方面的正式公告。
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最新进展10月12日 22:44
2026年10月12日，南华早报报道长鑫存储宣布下一代DRAM架构取得关键进展。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- Investor's Business Daily美光股价因中国对手 CXMT 的 DRAM 进展下跌
美光科技（MU）股价周一下跌，此前中国存储厂商长鑫存储（CXMT）宣布在下一代 DRAM 架构上取得关键进展。据南华早报周一报道，CXMT 正在开发新的存储单元架构，以提升动态随机存取存储器（DRAM）的存储密度，从而有望与全球领先的存储芯片厂商展开竞争。
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